Высокоскоростной алмазный полевой транзистор высокой проводимости разработали исследователи NIMS, 24 февраля сообщает TechXplore.ИА Красная Весна
Алмаз обладает превосходными полупроводниковыми свойствами и имеет широкую запрещенную зону, большую, чем у карбида кремния и нитрида галлия.ИА Красная Весна
Ученым удалось разработать высокопроизводительный полевой транзистор, используя гексагональный нитрид бора (h-BN) в качестве изолятора затвора вместо традиционно используемых оксидов (например, оксида алюминия).ИА Красная Весна
Полученные результаты являются новым этапом в разработке эффективных алмазных транзисторов для высокопроизводительной силовой электроники и устройств связи.ИА Красная Весна