Широкозонный полупроводник с «дырочной» проводимостью на основе оксида галия создали в НИТУ «МИСиС»
Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют "дырки" - положительно заряженные области.ТАСС Наука
Полупроводниковая промышленность использовала кремний, однако сейчас требуются труднее материалы с более широкой запрещенной зоной.МедиаПоток
Более широкая полоса пропускания обеспечивает более узкие контакты, меньшее сопротивление и более высокие максимальные рабочие температуры.Юность Сибири
Особенностью исследования является то, что исследовательская группа впервые экспериментально подтвердила возможность образования двумерного газа, когда слой κ-Ga2O3 неоднороден с другими широкозонными полупроводниками.Юность Сибири