В пресс-службе Института физики полупроводников СО РАН сообщили о разработке метода, позволяющего сохранить свойства диоксида гафния при высоких температурах.Наша Газета Крым
Улучшенные пленки получили при чередовании слоев диоксида гафния и оксида алюминия в соотношении 15:1. Материал выращивали методом атомно-слоевого осаждения в Курчатовском институте.Ferra
Исследования показали, что нужная фаза сохраняется при температуре до 900 градусов Цельсия.Ferra
Ресурс памяти на диоксиде гафния потенциально может значительно превышать около 10 тыс. циклов записи у флэш-памяти, отметили в пресс-службе.Ferra