После появления первых микросхем с трехмерным расположением ячеек развитие пошло очень быстро, и сейчас уже выпускаются микросхемы NAND более чем с двумя сотнями слоев.Открытые системы
Однако в памяти DRAM реализовать аналогичный подход пока не удается, несмотря на усилия ряда компаний, в том числе Intel.Открытые системы
Теперь в разработку памяти DRAM с трехмерным расположением транзисторов включился стартап NEO Semiconductor.Открытые системы
Плотность информации на микросхемах 3D X-DRAM может в восемь раз превышать плотность информации на традиционных микросхемах DRAM.Открытые системы