Открытие исследователей МФТИ может послужить для создания нового типа электронных приборов — высокоскоростных энергоэффективных переключателей, детекторов излучения, а также химических и биологических сенсоров.ИА Красная Весна
Результаты исследования ученые представили в статье «Терагерцовая фотопроводимость в двухслойных графеновых транзисторах: свидетельство туннелирования в переходах, индуцированных затвором», опубликованной в журнале Nano Letters.ИА Красная Весна
Для носителей тока (электронов) p-n-переход является энергетическим барьером, который обусловлен силой противодействия со стороны внутреннего электрического поля, создаваемого в p-n-переходе разной валентностью примесей проводника.ИА Красная Весна
Эксперименты показали аномальное изменение сопротивления прибора от изменения температуры: нагрев p-n-перехода приводил к увеличению сопротивления, тогда как более высокая температура должна снижать барьер.ИА Красная Весна