Дорожная карта предполагает как технологические процессы изготовления чипов в единицах нанометров, так и в ангстремах.ИА Красная Весна
В 2026 году ожидается техпроцесс A14 (A от ангстрем — 10-10), который можно было бы представить как 1,4 нм.ИА Красная Весна
Транзисторы FinFET предполагается использовать до 3 нм, GAAFET (Gate All Around) — с 2 нм, конструкцию «с разветвленными листьями» — c 7 ангстрем, транзисторы CFET (Complementary-Field Effect Transistors) — с 5 ангстрем и атомные каналы с 2 ангстрем.ИА Красная Весна
Центр Imec занят разработкой перспективных электронных приборов, которые будут производиться через несколько (до 10) лет.ИА Красная Весна