Во время выступления на отраслевой конференции ITF World 2023 в Бельгии генеральный директор Intel по развитию технологий Энн Келлехер раскрыла планы компании в отношении будущих транзисторных технологий.Ferra
Сама технология комплементарных FET была впервые представлена международным научно-исследовательским центром Imec в 2018 году.3DNews
В нижней части изображения представлены старые поколения транзисторов, а 2024 год ознаменовывает переход Intel на использование новых RibbonFET — транзисторов с нанолистами и круговым затвором (nanosheet GAAFET).3DNews
Конструкция CFET-транзистора предполагает расположение рядом друг с другом полупроводниковых элементов n-типа (pFET) и p-типа (pFET).3DNews