Китай построит EUV-пушку для производства 2 нм чипов

В свете запрета на поставку в Китай EUV-сканеров от компании ASML, китайские производители исследуют альтернативные методы литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне для создания передовых чипов.Хайтек+
Этим путём обещают стать синхротронные источники света, мощность которых превзойдёт возможности плазменных лазеров ASML.3DNews
По оценкам китайских источников, для формирования EUV-излучения мощностью около 1 кВт потребуется создать накопительное кольцо диаметром от 100 до 150 м (не говоря о вспомогательных установках и строениях).3DNews
Несмотря на наличие ускорителя SSMB, для создания литографического оборудования потребуются значительные усилия в области производства линз и рабочих платформ.Хайтек+