Samsung представила рекордно ёмкую память HBM3E 12H объёмом 36 ГБ на стек с пропускной способностью 1,28 ТБ/с
Новый чип высокопропускной памяти позволяет обрабатывать до 1 280 Гб в секунду, что эквивалентно загрузки 40 фильмов со сверхвысокой четкостью изображения всего за одну секунду.ТАСС Наука
По словам исполнительного вице-президента по планированию продуктов компьютерной памяти Samsung Electronics Пэ Юн Чхоля, новый чип позволит увеличить среднюю скорость обучения моделей ИИ на 34%.Ferra
Как сообщается, HBM — тип компьютерной памяти, при изготовлении которой применяется многоуровневая компоновка нескольких слоёв чипов, интегральные схемы устройства располагаются друг над другом.Ferra
Поставки памяти HBM3E в 12-ярусном исполнении в виде инженерных образцов для нужд клиентов Samsung уже начались, а массовое производство стартует в первой половине текущего года.3DNews