О создании образца 3D X-DRAM в рамках доказательства концепции сообщила молодая американская компания NEO Semiconductor.3DNews
Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND.3DNews
В компании сообщают, что задержка чтения/записи составила менее 10 нс, время регенерации при 85 °C — более 1 секунды (в 15 раз лучше, чем в стандарте JEDEC — 64 мс), устойчивость к износу достигла 10¹⁴.3DNews
Устройство NEO Semiconductor успешно прошло обширные электрические и надежностные испытания, подтвердив робастность и стабильность предложенной архитектуры памяти.RuTab.net
Источники: