Разработан новый метод повышения долговечности наноэлектронных компонентов

Исследователи из Университета Южной Флориды недавно разработали новый подход к уменьшению электромиграции в электронных межсоединениях нанометрового масштаба, которые повсеместно используются в современных интегральных схемах.Газета DAILY