Nanowerk: многослойность позволяет снизить энергопотребление для транзисторов будущего
Американские ученые из Калифорнийского университета в Беркли создали многослойный материал, которые значительно снижает напряжение, нужное для работы современных транзисторов.МедиаПоток
Поскольку требования к обработке информации растут с каждым годом, по расчетам ученых к 2030 году на микроэлектронику будет приходиться около 5% от общего потребления электроэнергии.FBM.ru
Одним из возможных решений эксперты считают явление отрицательной емкости, которое обещает значительно снизить энергопотребление электронных устройств, а также легко вписывается в современные полупроводниковые протоколы.FBM.ru
В современных кремниевых транзисторах оксид затвора состоит из оксида кремния (SiO2) и оксида гафния (HfO2).FBM.ru