Samsung анонсировала выход 290-слойной памяти V-NAND

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники.3DNews
Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights.3DNews
Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела.3DNews
Похоже, что индустрия памяти NAND вступила в горячую гонку за количество слоев, и Samsung на данный момент уверенно лидирует, опережая конкурентов SK Hynix и Kioxia.Metaratings.ru Cybersport
Эта новость в СМИ