Израильская компания Weebit Nano, разработчик резистивной памяти (ReRAM), сообщила, что достигнут значительный прогресс в рамках движения к массовому производству новой и перспективной технологии хранения данных.3DNews
На опытных мощностях французского института CEA-Leti массивы ReRAM впервые выпущены на 300-мм пластинах с использованием 28-нм техпроцесса.3DNews
Надеемся, продвижение вперёд совместно с французскими исследователями приблизит технологию производства резистивной памяти к коммерческой реализации.3DNews
Резистивная память ReRAM сопоставима по скорости работы и задержкам к оперативной памяти, но является энергонезависимой и более устойчива к множественным перезаписям ячеек, чем флэш-память.ИА Красная Весна