Samsung откладывает освоение 3-нанометровой технологии GAAFET
В начале 2019 года, как отмечает ресурс SemiAnalysis, компания Samsung Electronics рассчитывала внедрить 3-нм техпроцесс в разновидности 3GAE к концу 2020 года на стадии опытного производства, а к концу 2021 года перейти к массовому производству.3DNews
По сравнению с 7-нм технологией, планировалось обеспечить увеличение скорости переключения транзисторов на 35 %, снижение энергопотребления на 50 %, а плотность размещения транзисторов должна была увеличиться на 45 %.3DNews
Например, прирост в быстродействии сокращён до 10 %, показатель увеличения плотности сократился до 25 %, по уровню энергопотребления прогресс ухудшился до 20 %.3DNews
Один из вице-президентов Qualcomm на мероприятии, организованном Applied Materials, заявил о возможности появления серийных продуктов с технологией GAE лишь в 2023 году, с более реалистичным сроком в виде 2024 года.3DNews