Метод ионной имплантации основан на внедрении в твердое тело, например, в пластину полупроводника, ионизированных атомов и молекул с заранее заданной энергией.Интерфакс - Россия
В частности, до 1990-х годов специалисты ИЯФ разрабатывали целую линейку протонных источников по заказу министерства электронной промышленности, которые использовались для создания при помощи пучка протонов изоляционного слоя на кремниевой подложке.Интерфакс - Россия
Создание источников ионов лежит на стыке физики плазмы, физики ускорителей заряженных частиц, а также силовой электроники.Интерфакс - Россия