Ожидается, что доля моделей с транзисторами GaN среди устройств быстрой зарядки превысит 50% в 2025 году
Поставки быстрых зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) растут крайне быстрыми темпами, следует из результатов исследования аналитической компании TrendForce, опубликованных 26 октября на сайте компании.ИА Красная Весна
Новые элементы быстро вытеснят кремниевые силовые транзисторы и кремниевые регуляторы мощности, обеспечивая рост всему классу GaN-зарядок.3DNews
Использование элементов из нитрида галлия, а также из карбида кремния (SiC) в зарядках категории 100 Вт и больше очень велико и достигает 62 %.3DNews
Именно на основе нитрида галлия выпускается большинство компактных адаптеров для быстрой зарядки смартфонов и других гаджетов.ИА Красная Весна