Первое электрически функциональное устройство на основе перспективных транзисторов complementary FET (CFET) создал международный научно-исследовательский центр микроэлектроники (Imec), 19 июня пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.ИА Красная Весна
Во втором случае нижний контакт был перемещен на обратную сторону пластины.ИА Красная Весна
Длина затвора полученных транзисторов — 18 нм, шаг затвора — 60 нм, вертикальное расстояние между n- и p-транзисторами — 50 нм.ИА Красная Весна
Для формирования работоспособных структур исследователям пришлось решить несколько физических проблем, которые на более ранних устройствах не возникали.ИА Красная Весна