Компания TSMC не раз заявляла, что начнёт серийное производство 3-нм продукции во второй половине 2022 года, но при этом будет придерживаться традиционной структуры транзисторов FinFET.3DNews
Перспективный план перехода на новые техпроцессы подразумевает использование техпроцесса 3GAP с более сложной структурой в 2023 году.3DNews
Недавно компания объявила, что совместно с Synopsys уже получила первые цифровые проекты 3-нм изделий, использующих структуру транзисторов GAA с окружающим затвором.3DNews
Samsung собирается начать массовое производство 4-нм продуктов первого поколения в этом полугодии, до второго поколения данная технология дозреет уже в следующем году.3DNews