Toshiba представила мощный полевой транзистор на основе карбида кремния

Полевой МОП-транзистор TW070J120B на основе карбида кремния (SiC), рассчитанный на напряжение 1 200 В представлен японской компанией Toshiba, 19 октября сообщил британский журнал об электронике Electronics Weekly.ИА Красная Весна