Результаты научных исследований могут быть использованы в развитии микроэлектронной промышленности России.ЧС-ИНФО
Метод ионной имплантации основан на внедрении в твердое тело, например в пластину полупроводника, ионизированных атомов и молекул с наперед заданной энергией.ЧС-ИНФО
Создание источников ионов лежит на стыке физики плазмы, физики ускорителей заряженных частиц, а также силовой электроники.ЧС-ИНФО
Имплантерные ионные источники ИЯФ СО РАН будут использоваться для развития современных отечественных ионных имплантеров, первые проекты которых уже реализуются в коллаборации с предприятиями Зеленограда (АО «НИИТМ» и АО «НИИМЭ»).ЧС-ИНФО