Samsung создала прототип 3-нм полупроводников GAAFET
Сейчас компания TSMC инвестирует значительные средства в 5-нанометровый техпроцесс, который, по неофициальным данным, будет использован для выпуска SoC Apple A14 — основы смартфона iPhone 12.iXBT.com
По сообщению источника, ссылающегося на корейское агентство Maeil Economy, компания Samsung не отстает от конкурента на рынке полупроводникового производства.iXBT.com
Как утверждается, переход на GAAFET 3 нм позволяет уменьшить размер кристалла на 35% по сравнению с FinFET 5 нм и снизить энергопотребление на 50% или повысить производительность на 33%.iXBT.com
Год назад компания Samsung рассказала о планах развития технологии полупроводникового производства, которыми предусмотрено начать серийный выпуск продукции по 3-нанометровой технологии GAAFET в 2021 году.iXBT.com