Samsung объявила о планах по выпуску памяти 3D DRAM, но произойдёт это не скоро

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.3DNews
VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон.3DNews
Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F2, считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат.3DNews
По прогнозам, к 2028 году рынок 3D DRAM достигнет 100 миллиардов долларов.iXBT.com