Проект называется «Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой».Навигатор
Как рассказал руководитель проекта заведующий лабораторией ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Александр Никифоров, научные сотрудники будут разрабатывать технологию создания германиевых слоев для фотоприемников, использующихся в фотонных интегральных схемах (ФИС).Навигатор
Заказчик технологического предложения – АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (АО «ЗНТЦ»).Навигатор
Сейчас ФИС широко применяются в телекоммуникациях, в трансиверах – приборах, которые используются для одновременной обработки и передачи светового сигнала, пришедшего по оптическому волокну.Навигатор