Работы над продвинутым 3 нм техпроцессом N3E TSMC опередили план

Согласно недавнему, но недатированному четко, документу, TSMC на данный момент добилась высокого процента выпуска годных изделий.ИА Красная Весна
Технический энтузиаст под псевдонимом HS Kuo, на которого ссылается издание, опубликовал на своей странице в Twitter выдержку из непубличного документа самой TSMC.3DNews
Если верить графику выше, объём выхода годных микросхем статической оперативной памяти SRAM на базе N3E сейчас составляет около 80 %, годных логических микросхем — 80 %, а годных кольцевых генераторов с подтверждённым ресурсом — 92 %.3DNews
Согласно утверждениям компании, N3E подразумевает несколько меньшую плотность расположения транзисторов и некоторые другие изменения, которые позволяют достичь большей производительности и снижения энергопотребления.ИА Красная Весна