Исследовательская группа Национального института материаловедения (NIMS) разработала первый в мире n-канальный алмазный MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник).Android-robot.com
Исследование опубликовано в журнале Advanced Science.Android-robot.com
Использование последнего алмазного слоя значительно снизило контактное сопротивление истока и стока.Android-robot.com
Команда подтвердила, что изготовленный алмазный МОП-транзистор на самом деле функционирует как n-канальный транзистор.Android-robot.com