В рамках 3-нм техпроцесса Intel может заметно опередить конкурентов по плотности размещения транзисторов
К подобному выводу приходит в одной из своих аналитических статей президент DigiTimes Asia Колли Хуанг (Colley Hwang), рассуждающий о конкурентных преимуществах компании TSMC.3DNews
В рамках 10-нм технологии, как поясняет автор, TSMC и Samsung обеспечивали сопоставимую плотность размещения транзисторов, в районе 52‒53 млн штук на квадратный миллиметр площади кристалла.3DNews
По сути, сопоставимыми геометрическими характеристиками будут обладать 7-нм техпроцесс Intel, 5-нм техпроцесс TSMC и 3-нм техпроцесс Samsung.3DNews
Нельзя исключать, что о проведении своеобразной «литографической деноминации» представители Intel расскажут в рамках профильного мероприятия, которое намечено на 26 июля.3DNews