Одним из наиболее перспективных материалов для новых «флешек» считается оксид гафния (HfO2), поскольку все другие известные сегнетоэлектрики по разным причинам не могут быть использованы в современной наноэлектронике.Наука и жизнь
Элементарная ячейка нового типа памяти представляет собой тончайший — менее 10 нанометров — слой сегнетоэлектрического оксида гафния, к которому с двух сторон примыкают управляющие электроды.Наука и жизнь
Измеряя энергию вылетающих из сегнетоэлектрика фотоэлектронов в сочетании с определенными схемами облучения структуры, удаётся получить картину электрического потенциала по всей толщине слоя с нанометровым разрешением.Наука и жизнь
Проверку методики на изготовленных в МФТИ прототипах будущих ячеек «новой памяти» исследователи провели на синхротроне PETRA III в исследовательском центре по физике частиц DESY, расположенном в Гамбурге (ФРГ).Наука и жизнь