Главное Интересное Политика Общество Экономика СВО В мире Спорт Шоу-бизнес Происшествия Культура Технологии Наука Авто

21 ноября 2020 года

В Германии разработали «идеальный» материал для флеш-памяти

Сотрудники Дрезденского технического университета, организовавшие собственную компанию Ferroelectric Memory Company (FMC), начали использовать для производства компьютерной памяти «идеальный» материал — аморфный оксид гафния (HfO2), сообщает 19 ноября издание EE Times.ИА Красная Весна

#base-scroll-wrapper { opacity: 1; clip-path: none; overflow: scroll; }#base-scroll-wrapper::-webkit-scrollbar { height: 6px; background: none; }#base-scroll-wrapper::-webkit-scrollbar-thumb { border-radius: 8px; background-color: var(--zenColorBgTertiary); }#base-scroll-container { overflow: unset; }#tabs-skeleton-container { display: none; }

#theme-content-annotation { opacity: 1; }#chips-items { opacity: 1; }#chips-container { overflow: scroll; }#chips-container::-webkit-scrollbar { height: 6px; background: none; }#chips-container::-webkit-scrollbar-thumb { border-radius: 8px; background-color: var(--zenColorBgTertiary); }#card-skeleton { display: none; }

#ad-feed { display: none; }#ad-tsar { display: none; }#ad-banger { display: none; }#ad-column_top { display: none; }#ad-column_bottom { display: none; }

#ad-feed { display: none; }#ad-tsar { display: none; }#ad-banger { display: none; }#ad-column_top { display: none; }#ad-column_bottom { display: none; }