Ожидается, что доля моделей с транзисторами GaN среди устройств быстрой зарядки превысит 50% в 2025 году
Поставки быстрых зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) растут крайне быстрыми темпами, следует из результатов исследования аналитической компании TrendForce, опубликованных 26 октября на сайте компании.ИА Красная Весна