С развитием микро- и наноэлектроники требования к точности формирования топологических структур постоянно возрастают. Плазмохимическое травление (реактивное ионное травление, РИЭ) остается ключевым методом переноса рисунка в субмикронных технологических процессах. Выбор газа-реагента критически влияет на селективность, анизотропию и степень повреждения обрабатываемой поверхности. В последние десятилетия значительное внимание исследователей привлекает дифторметан (CH₂F₂) как альтернатива традиционным фторсодержащим газам (CF₄, CHF₃, C₄F₈)...