Особенности сборки памяти HBM делают её производство значительно более сложным, нежели в случае с традиционными модулями DRAM. Чипы HBM основаны на модулях DRAM, которые располагаются слоями. Они соединяются при помощи сквозных кремниевых переходов (TSV), которые одновременно связывают стек с базовым кристаллом для обмена данными с компьютерной системой. При производстве памяти HBM4 ведущие производители применяют технологию гибридного соединения. Здесь убраны контактные выступы над каждым слоем DRAM и вместо них применяется специальный заполняющий материал...

С памятью DRAM все было гораздо проще Китайская CXMT столкнулась с серьезными трудностями при освоении массового производства HBM3 — высокоскоростной памяти, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта. По данным корейского издания Chosun, первоначальный выход годных восьмислойных чипов составляет всего 25–30%. Ситуацию усугубляют последующие испытания. Источники утверждают, что финальную проверку проходят лишь около 70% уже отобранных изделий. В результате итоговый выход годной продукции может составлять всего 18–21%: условно из 100 произведенных HBM-чипов 80% — бракованные...