708 читали · 3 года назад
ЭЛЕКТРОНИКА + ЕСКД
Здравствуйте мои читатели! И особенно начинающие электронщики!!! Продолжаем тему: «Индуктивности». Индуктивность измеряется в Генри, Гн – русское обозначение и H – международное обозначение. Основные единицы...
121 читали · 5 лет назад
Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree. Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов
Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим,однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI). Введение Применение карбидокремниевых (SiC) MOSFET ключей позволяет заметно улучшить электрические и массогабаритные параметры системы и таким образом снизить ее общую стоимость. Поэтому модулина основе SiC-технологии приобретают все большую популярность в применениях высокой мощности...