В связи с активным ростом рынка силовых компонентов в течение последних двадцати с лишним лет возросла и потребность в микросхемах на базе карбида кремния (SiC). Сильные стороны SiС – широкая запрещенная зона и большая теплопроводность. Технологический цикл производства от пластины до конечного продукта включает в себя ряд ключевых этапов: рост монокристалла, резку на пластины, утонение, полировку, эпитаксию, ионную имплантацию, термообработку и др. В настоящей работе подробно рассматриваются первые...

Устройства питания из карбида кремния (SiC) обладают рядом преимуществ, которые делают их непобедимыми во многих областях применения электроники в технике сильных токов, включая электромобили, возобновляемые источники энергии и промышленное применение. Эти преимущества включают более высокую эффективность, снижение потерь, меньшие габариты, более высокую удельную мощность, более высокую скорость переключения, работу при более высоких температурах, меньшую паразитную емкость и более высокую надежность...