Устройства питания из карбида кремния (SiC) обладают рядом преимуществ, которые делают их непобедимыми во многих областях применения электроники в технике сильных токов, включая электромобили, возобновляемые источники энергии и промышленное применение. Эти преимущества включают более высокую эффективность, снижение потерь, меньшие габариты, более высокую удельную мощность, более высокую скорость переключения, работу при более высоких температурах, меньшую паразитную емкость и более высокую надежность...

Европейский полупроводниковый гигант STMicroelectronics (ST) объявил о запуске масштабной программы реструктуризации, в рамках которой будет сокращено до 2800 сотрудников по всему миру, а также направлены инвестиции в расширение производства по двум стратегическим направлениям: 300-мм кремниевые подложки и карбид кремния (SiC). Эта инициатива стала ответом на меняющиеся рыночные условия, резкое усиление конкуренции, замедление роста в ряде потребительских сегментов и необходимость диверсификации технологического портфеля...