Карбид кремния (SiC) стал ключевой технологией шестого технологического уклада в электромобилях, солнечной энергетике и дата-центрах. Рынок SiC-устройств растет на 30-34% в год и достигнет 8,9-10 млрд долларов к 2028-2030 годам. Однако отрасль переживает болезненную коррекцию из-за избытка мощностей, олигополии поставщиков и технологических барьеров. Кремний был основой силовой электроники 60 лет, но его возможности исчерпаны. SiC — полупроводник с более широкой запрещенной зоной (3,26 эВ против 1,12 эВ у кремния), что позволяет работать при напряжениях до 1700 В и температурах до 175°C...

Устройства питания из карбида кремния (SiC) обладают рядом преимуществ, которые делают их непобедимыми во многих областях применения электроники в технике сильных токов, включая электромобили, возобновляемые источники энергии и промышленное применение. Эти преимущества включают более высокую эффективность, снижение потерь, меньшие габариты, более высокую удельную мощность, более высокую скорость переключения, работу при более высоких температурах, меньшую паразитную емкость и более высокую надежность...