Прошли времена, когда микроэлектроника ассоциировалась исключительно с кремнием. Конечно, всегда были чипы, изготовленные из других полупроводниковых материалов, таких как германий. В конце концов первая в мире интегральная микросхема, созданная американским инженером Джеком Килби, была на основе германия. Первая советская микросхема Ю. В. Осокина тоже. Но шансов всерьёз подвинуть кремний с его вот уже полувекового пьедестала у других полупроводников до сих пор не было. В нашем веке всё изменилось...

Необходимы прогрессивные решения на системном уровне, призывает Гай Мокси, директор Wolfspeed, чтобы  реализовать преимущества, которые обеспечивают приборы на основе карбида кремния (SiC) для проектирования устройств силовой электроники. На данный момент все понимают, что любой силовой SiC-прибор превосходит свой кремниевый (Si) аналог. Более высокая блокирующая способность, большая скорость переключения, меньшие потери и лучшая теплопроводность означают, что SiC MOSFET-транзисторы характеризуются значительно меньшими динамическими потерями по сравнению с кремниевыми MOSFET или IGBT...