Потребность в высокоэффективных импульсных преобразователях мощности подстёгивает разработку оригинальных схемотехнических решений. Параллельно развивается элементная база: создаются как принципиально новые электронные компоненты, так и необычные варианты конструктивного исполнения элементов давно известных. Эти процессы поддерживают и усиливают друг друга. С появлением силовых транзисторов на полупроводниках с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия и карбид кремния) уменьшились потери энергии при переключении, а рабочие частоты импульсных преобразователей достигли сотен килогерц...