В даташитах на биполярные транзисторы имеется такая характеристика, называемая V(BR)ebo – максимально допустимое напряжение эмиттер-база. К примеру возьмем такой распространенный зарубежный транзистор как S8550. Его параметр V(BR)ebo равен 5 вольт (как и у многих других, аналогичных ему транзисторов). И вот тут у новичков может возникнуть недопонимание – какие еще 5 вольт на база-эмиттерном переходе транзистора при прямом подключении этого полупроводникового перехода? Ведь это напряжение равно где-то 0,6-0,7 вольт. На самом деле V(BR)ebo уже говорит нам что подключение не база-эмиттер, а эмиттер-база! И тут нужно подразумевать обратное подключение данного транзисторного управляющего перехода, а не прямое. При обратном подключении полупроводник закрыт и напряжения на нем будет той величины, что прикладывается к нему. И параметр V(BR)ebo говорит нам о том, что это значение будет максимально допустимым, выше которого транзисторный переход эмиттер-база скорей всего будет пробит. Следовательно, обратное напряжение между эмиттером и базой у транзистора S8550 не должно быть выше 5 вольт. И это при Ie (ток эмиттера) = 100 мкА (ток утечки), Ic (ток коллектора) = 0. Стоит заметить, что обратное напряжение на переход эмиттер-база может подаваться для того, чтобы биполярный транзистор еще сильнее и быстрее закрыть. И это напряжение может идти с выхода микросхемы контроллера, который управляет работой данного биполярного транзистора. Прямое же включение перехода обозначается как Vbe.