Исследователи из Гонконгского политехнического университета создали туннельный транзистор, способный переключаться при значительно меньшем напряжении, чем обычные кремниевые MOSFET. Разработка использует квантовое туннелирование и преодолевает так называемый предел Больцмана — одно из основных препятствий на пути к дальнейшему снижению энергопотребления микросхем. Экспериментальный транзистор изготовлен из сверхтонких слоёв висмута и селенида индия. Результаты исследования опубликованы в журнале Science...