В настоящее время мощные полевые транзисторы (и не только мощные, но они нас интересовать не будут) с изолированным затвором применяются очень широко. Большей частью в ключевом режиме. Специалисты знают, что использование таких транзисторов в линейном режиме имеет свои особенности. Но вот новички и любители часто об этом забывают. Кроме того, линейный режим может встретится там, где его совсем не ожидают. Статья рассчитана не на опытных специалистов электронщиков (которые и так все это знают), а на тех, кто только начинает свой путь разработчика электронных устройств...

Нередко, проектируя мощное устройство на силовых транзисторах, или прибегая к использованию в схеме мощного выпрямителя, мы сталкиваемся с ситуацией, когда необходимо рассеивать очень много тепловой мощности, измеряемой единицами, а иногда и десятками ватт. К примеру IGBT-транзистор FGA25N120ANTD от Fairchild Semiconductor, если его правильно смонтировать, теоретически способен отдать через свой корпус порядка 300 ватт тепловой мощности при температуре корпуса в 25 °C! А если температура его корпуса будет 100 °C, то транзистор сможет отдавать 120 ватт, что тоже совсем немало...