В настоящее время мощные полевые транзисторы (и не только мощные, но они нас интересовать не будут) с изолированным затвором применяются очень широко. Большей частью в ключевом режиме. Специалисты знают, что использование таких транзисторов в линейном режиме имеет свои особенности. Но вот новички и любители часто об этом забывают. Кроме того, линейный режим может встретится там, где его совсем не ожидают. Статья рассчитана не на опытных специалистов электронщиков (которые и так все это знают), а на тех, кто только начинает свой путь разработчика электронных устройств...

Нередко, проектируя мощное устройство на силовых транзисторах, или прибегая к использованию в схеме мощного выпрямителя, мы сталкиваемся с ситуацией, когда необходимо рассеивать очень много тепловой мощности, измеряемой единицами, а иногда и десятками ватт. К примеру IGBT-транзистор FGA25N120ANTD от Fairchild Semiconductor, если его правильно смонтировать, теоретически способен отдать через свой корпус порядка 300 ватт тепловой мощности при температуре корпуса в 25 °C! А если температура его корпуса будет 100 °C, то транзистор сможет отдавать 120 ватт, что тоже совсем немало...

1. Именование транзисторов К транзисторам, применяемым в цветных дисплеях, в основном относятся кристаллические диоды, транзисторы, тиристоры, полевые транзисторы и т. д. Среди них наиболее часто используются триоды и диоды. Транзисторы обозначаются символом BG (старый) или (T), а диоды обозначаются D. По материалам изготовления транзисторы можно разделить на два типа: германиевые трубки и кремниевые трубки. По полярности транзисторы делятся на PNP и NPN, а диоды — на P-тип и N-тип...

В семействе полевых транзисторов есть отдельная группа – Mosfet. Она существенно отличается от своих «сослуживцев», а их работа мало похожа на транзисторы. Скорее всего это что-то среднее между тиристором и триодом. В первой части этой статьи рассмотрены их свойства и характеристики. Определение и свойства Mosfet-транзисторов Аббревиатура MOSFET состоит из Metal-Oxide-Semiconductor (металл-окисел-полупроводник) и Field-Effect-Transistors (полем управляемый транзистор). То есть, полупроводниковый прибор управляется полем, которое создаётся действием напряжения на затворе относительно истока...