В основе диодных лазеров лежат полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия или других соединений. В зависимости от технологии легирования полупроводниковых гетероструктур, каждый диодный лазер излучает на строго фиксированной длине волны, входящей в ближний инфракрасный диапазон от 800 до 900 нм. Длительность импульса от 5 до 30 мс, частота следования импульсов порядка 1 Гц, плотность энергии на ткани - 10-40 Дж/см2 в лазерном пятне диаметром 9 мм. Система эпиляции лазером с длиной...

Под термином "лазерный диод" понимается лазер полупроводникового типа, основа конструкции которого представлена диодом. Принцип работы такого лазера строится на том, что после того, как в диод были инжектированы носители заряда в зоне p-n - перехода возникает инверсия населённостей. Принцип работы лазерного диода Всегда необходимо помнить, что при формировании излучения больше важен не ток лазерного диода, а напряжение. В момент подачи на анодный конец диода положительного потенциала, наблюдается смещение диода по прямому направлению...