Измерение напряжения смещения (BiasMDP)
Качество пассивации поверхности диэлектриков приобретает все большее значение, особенно в области фотовольтаики. Из-за новых концепций в области солнечных элементов, таких как PERC или IBC, и растущей потребности в солнечных элементах с высокой эффективностью необходим инструмент для быстрой характеризации пассивирующих слоев. Измеритель модели MDPmap с опцией BiasMDP позволяет удовлетворить данную потребность. Поверхностные пассивирующие диэлектрические слои создают химическую и полевую пассивацию...
Определение емкостей выходного буфера микросхем методом постоянных времени
Предыдущий метод рассмотрен здесь. Прежде чем рассмотреть метод, предлагаемый авторами статьи, оценим индуктивность проводов, используемых при измерениях на стенде. Расчет индуктивности прямолинейного провода длиной ℓ и радиусом поперечного сечения r можно провести по упрощённой [1] формуле (1) (здесь μ0 — магнитная постоянная, μ0 = 4π*10-7 Гн/м): Если в формуле (1) положить ℓ = 1 м, r = 0,12 мм, то получим LП = 1,8 мкГн. Поскольку эта индуктивность весьма велика, то её нельзя не учитывать. Схемы...