Модуль IGBT: путь к инновациям в силовой электронике В условиях постоянного развития технологий силовой электроники силовые полупроводниковые устройства играют жизненно важную роль в современных энергосистемах. Среди них модуль биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), как высокопроизводительное устройство переключения мощности, является лидером инноваций и разработок в области силовой электроники. Предыстория и происхождение модулей IGBT Истоки модулей IGBT можно проследить до 1980-х...

Силовой транзистор IGBT управляется с помощью напряжения, подаваемого на управляемый электрод - «затвор», который изолирован от силовой цепи. Полное название прибора: биполярный транзистор с изолированным затвором...