Что такое модуль питания IGBT? IGBT - это силовая полупроводниковая матрица is и сокращенная форма биполярного транзистора с изолированным затвором. Силовой модуль IGBT - это сборка и физическая упаковка нескольких силовых полупроводниковых матриц IGBT в одном корпусе. Матрицы обычно подключаются в выбранной электрической конфигурации, такой как полумост, 3-уровневый, измельчитель, усилитель и т.д. Модуль питания IGBT функционирует как переключатель и может использоваться для чрезвычайно быстрого включения и выключения электроэнергии с высокой энергоэффективностью (>99%), обеспечивая низкие электрические потери...

IGBT транзисторы разработали для того, чтобы совместить высокую экономичность с быстродействием. Структура его состоит из 4-х чередующихся слоев (P–N-P–N), которые управляются полем затвора металл-оксид–полупроводник (MOS). Структура и свойства IGBT-транзисторов Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) переводится как биполярный транзистор с изолированным затвором. Сразу напрашивается вопрос: откуда у биполярного транзистора затвор, да ещё и изолированный? Для пояснения: IGBT – это полупроводниковый...