Исследователи Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН представили технологию создания чипов долговременной флеш-памяти для космических применений. В основе разработки — диэлектрические пленки с дефектами — «ловушками» электронов, которые выполняют функцию носителей информации. В институте запатентовали использование пленок на основе оксидов алюминия и циркония. Они позволили увеличить время хранения данных и снизить энергопотребление при перезаписи. «Также инновация кардинально увеличивает надежность устройств...