Переход силовой электроники на широкозонные полупроводники - карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN) - позволил сделать преобразователи одновременно эффективнее, компактнее и быстрее. Однако эта технологическая трансформация имеет свои побочные эффекты. Чем быстрее переключается силовой транзистор, тем более строгими становятся требования не только к самому ключу, но и ко всей цепи его управления. Высокие значения скорости нарастания напряжения (dv/dt) и тока (di/dt) создают мощные синфазные переходные помехи...