Китайский производитель полупроводникового оборудования Naura Technology Group опубликовал в журнале IEEE результаты работы над двухэтапным процессом селективного травления для многослойных структур 3D DRAM. Заявленные характеристики: селективность удаления кремний-германия (SiGe) относительно кремния превышает 500:1, потери кремниевого слоя составляют менее 10 ангстрём (порядка трёх атомных слоёв), а равномерность обработки по всей высоте стека из 64 пар слоёв — выше 95%. Разработка имеет прямое...