MOC3063M Оптопара с симисторным выходом. Её полные характеристики ниже в футере статьи, а пока несколько типовых схем и замечаний. Конструктивно данная микросхема состоит из светодиода и оптосимистора в цепи управления которым есть стабилизирующий работу симистора по переменному току элемент (Zero Voltage Crossing bilateral triac drivers). Изготавливаются данные полупроводниковые приборы на основе Арсенида Галлия как наиболее подходящего материала для высокочастотных схем. Критическая скорость нарастания напряжения для симистора в закрытом состоянии (dV/dt) 600 В/мкс...

В семействе полевых транзисторов есть отдельная группа – Mosfet. Она существенно отличается от своих «сослуживцев», а их работа мало похожа на транзисторы. Скорее всего это что-то среднее между тиристором и триодом. В первой части этой статьи рассмотрены их свойства и характеристики. Определение и свойства Mosfet-транзисторов Аббревиатура MOSFET состоит из Metal-Oxide-Semiconductor (металл-окисел-полупроводник) и Field-Effect-Transistors (полем управляемый транзистор). То есть, полупроводниковый прибор управляется полем, которое создаётся действием напряжения на затворе относительно истока...