Санкт-Петербург. 11 марта. ИНТЕРФАКС - Центр научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области электроники Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН будет достроен к концу года, сообщил на пресс-конференции в "Интерфаксе" директор института Сергей Иванов. "Центр современной импортозамещающей гетероструктурной ЭКБ на базе ФТИ им.Иоффе должен выйти на полную мощность работы в 2027 году. Там будет работать команда высококвалифицированных кадров. Основная задача - делать опытно-конструкторские...

Здесь будут вестись разработки лазеров, солнечных батарей, чипов и другой электроники. Центр научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области электроники при Физико-техническом институте имени Иоффе РАН в Петербурге планируют достроить до конца года. Об этом сообщил «Вечерний Петербург» со ссылкой на заявление директора института Сергея Иванова. Центр современной импортозамещающей гетероструктурной ЭКБ запустят в 2026 году, а на полную мощность работы он должен выйти в 2027 году...