TWIM Авто "Подборка фейлов на дороге. Не умеешь ездить не садись за руль. Часть 4"
Toshiba представила два решения для SiC gate-драйверов: потери снижены до 28%, перенапряжения — до 58%
Японская Toshiba сообщила о создании сразу двух решений для gate-драйверов нового поколения, которые должны раскрыть потенциал силовых приборов на карбиде кремния (SiC). По словам разработчиков, такие схемы помогут сделать системы электропитания более эффективными и компактными, что особенно важно для инверторов электромобилей и для оборудования центров обработки данных. Читать на сайте: Toshiba представила два решения для SiC gate-драйверов: потери снижены до 28%, перенапряжения — до 58% Нужно напомнить,...
Toshiba представила два решения для SiC-драйверов нового поколения: потери в инверторах электромобилей снизят до 84%
Японская компания Toshiba сообщила о создании сразу двух решений для gate-драйверов нового поколения. Разработка нацелена на то, чтобы раскрыть потенциал силовых приборов на карбиде кремния (SiC) и тем самым сделать системы электропитания более экономичными и компактными. В первую очередь речь идет об инверторах электромобилей и оборудовании центров обработки данных, где потери и габариты критичны. Читать на сайте: Toshiba представила два решения для SiC-драйверов нового поколения: потери в инверторах...